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        海力士半導體:采用 EUV 技術的第 4 代 10nm 級 DRAM 全面量產

          12日,海力士半導體(SK hynix)表示,已于7月初開始量產適用第四代10納米(1a)級工藝的8Gigabit(Gb) LPDDR4移動端DRAM產品。此次量產的產品是SK海力士首次采用EUV技術進行量產的DRAM。公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。(海力士半導體官網)

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